|
По сравнению с электронными лампами у полупроводниковых
приборов имеются существенные достоинства:
1) малый вес и малые размеры;
2) отсутствие затрат энергии на накал;
3) более высокая надежность в работе и большой срок службы (до десятка
тысяч часов);
4) большая механическая прочность (стойкость к тряске, ударам и
другим видам механических перегрузок);
5) различные устройства (выпрямители, усилители, генераторы) с полупроводниковыми
приборами имеют высокий КПД, так как потери энергии в самих приборах
незначительны;
6) маломощные устройства с транзисторами могут работать при очень
низких питающих напряжениях;
7) принципы устройства и работы полупроводниковых приборов использованы
для создания нового важного направления развития электроники – полупроводниковой
микроэлектроники.
Вместе с тем полупроводниковые приборы в настоящее время обладают
следующими недостатками:
1) параметры и характеристики отдельных экземпляров приборов данного
типа имеют значительный разброс;
2) свойства и параметры приборов сильно зависят от температуры;
3) наблюдается изменение свойств приборов с течением времени (старение);
4) их собственные шумы в ряде случаев больше, нежели у электронных
приборов;
5) большинство типов транзисторов непригодно для работы на частотах
выше десятков мегагерц;
6) входное сопротивление у большинства транзисторов значительно
меньше, чем у электронных ламп;
7) транзисторы пока еще не изготавливают для таких больших мощностей,
как электровакуумные приборы;
8) работа большинства полупроводниковых приборов резко ухудшается
под действием радиоактивного излучения.
Транзисторы успешно применяются в усилителях, приемниках, передатчиках,
генераторах, телевизорах, измерительных приборах, импульсных схемах,
электронных счетных машинах и др. Использование полупроводниковых
приборов дает огромную экономию в расходовании электрической энергии
источников питания и позволяет во много раз уменьшить размеры аппаратуры.
Ведутся исследования по улучшению полупроводниковых приборов по
применению для них новых материалов. Созданы полупроводниковые выпрямители
на токи в тысячи ампер. Применение кремния вместо германия позволяет
эксплуатировать приборы при температуре до 125" С и выше. Созданы
транзисторы для частот до сотен мегагерц и более, а также новые
типы полупроводниковых приборов для сверхвысоких частот. Замена
электронных ламп полупроводниковыми приборами успешно осуществлена
во многих радиотехнических устройствах. Промышленность выпускает
большое количество полупроводниковых диодов и транзисторов различных
типов.
|
